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三星已攻克3nm关键GAA全能门技术!或将超越台积电实现翻盘

2020-01-05 10:31:02 来源:EETOP

现在7nm工艺的战争台积电方面明显优势大于三星的,大部分厂家都向台积电下了7nm的订单,NVIDIA下一代GPU安培虽然会同时采用两家的7nm工艺,但是大部分还是会交给台积电生产,而且我们也知道台积电现在加大了对5nm制程工艺的投入,据称苹果5nm A14处理器订单已交给台积电了,今年上半年即可量产。

台积电的胜利可能不是永远的,日前,台积电创始人张忠谋也表示,三星是很厉害的对手,目前台积电暂时占据优势,但仅仅只是赢了一两场战役,整个战争还没有结束。

根据韩国媒报道,三星现在已经向3nm制程迈出了第一步,他们已经攻克了3nm和1nm工艺所使用全能门(GAA)技术。三星的3nm工艺会使用GAA技术,而不是现在的FinFET,新的技术可以让芯片面积减少35%,功耗下降约50%,与5nm FinFET工艺相比,同样功耗情况下性能提升33%。

在3nm节点,三星用GAA MCFET(多桥通道FET)工艺取代了之前的FinFET工艺。根据最新消息,三星的3nm工艺整体表现要高于预期水平。

其实在一年前三星就开展了在3nm GAA工艺的工作,当时他们的目标是2021年实现量产,真是雄心勃勃,三星目标是要在2030年成为世界第一的半导体制作商。

GAA全能门与FinFET的不同之处在于,GAA设计围绕着通道的四个面周围有栅极,从而确保了减少漏电压并且改善了对通道的控制,这是缩小工艺节点时的基本步骤,使用更高效的晶体管设计,再加上更小的节点尺寸,和5nm FinFET工艺相比能实现更好的能耗比。

近日,三星副董事长李在镕访问了华城工厂的半导体研究中心,表示三星电子将是第一个开发3nm工艺技术的公司。李在镕分享了自己的愿景,即追随内存,成为系统半导体领域的世界第一,并坚定了实现这一目标的意志。

反观竞争对手台积电,该公司也已经在规划3nm制程量产,其位于南科的3nm厂环评已于去年顺利通过,落脚在新竹的3nm研发厂房环评也顺利通过初审,等到环评大会确认结论后,预计可顺利赶上量产时程。

作为GAA技术的领头羊,三星究竟能否借由3nm工艺翻盘,让我们拭目以待。

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