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东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

2020-03-11 15:22:54 来源:东芝
中国上海,2020年3月10日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。
 
TLP5231产品示意图
 
新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。
 
目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。
 
通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。
 
其他功能包括:在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外,还有UVLO[3]检测,将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。
 
应用:
・IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动)
・交流电机和直流无刷电机控制
・工业逆变器与不间断电源(UPS)
・光伏(PV)电源调节系统
 
特性:
・内置有源时序控制的双输出,适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。
・当检测到过流时,通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。
・当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时,故障信号会输出到一次侧。
 
主要规格:
(除非另有说明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)

器件型号
绝对最大额定值 峰值高电平输出电流IOPH(A) -2。5
峰值低电平输出电流IOPL(A) +2.5
电气特性 VOUTP高电平输出电流IOUTPH最大值(A) -1.0
VOUTP低电平输出电流IOUTPL最小值(A) 1。0
VOUTN高电平输出电流IOUTNH最大值(A) -1.0
VOUTN低电平输出电流IOUTNL最小值(A) 1.0
高电平供电电流(VCC2)ICC2H最大值(mA) 10.2
低电平供电电流(VCC2)ICC2L最大值(mA) 10。2
高电平供电电流(VEE)IEEH最小值(mA) -9.2
低电平供电电流(VEE)IEEL最小值(mA) -9.2
阈值输入电流(H/L)IFHL最大值(mA) 3。5
建议工作条件 总输出供电电压(VCC2-VEE)(V) 21.5至30
负输出供电电压(VE-VEE)(V) 6。5至15
正输出供电电压(VCC2-VE)(V) 15至23。5
开关特性 传播延迟时间(L/H)tpLH(ns) 100至300
传播延迟时间(H/L)tpHL(ns) 100至300
传播延迟偏差(器件到器件)tpsk(ns) -200至200
高电平共模瞬态抑制
CMH最小值(kV/μs)
±25
高电平共模瞬态抑制
CML最小值(kV/μs)
±25
功能 保护功能 IGBT VCE(sat)检测、
欠压锁定(UVLO)[4]
反馈(故障):在检测到VCE(sat)或UVLO(集电极开路输出)时激活
隔离特性
(@Ta=25℃)
隔离电压BVS最小值(Vrms) 5000
机械参数 最小电气间隙(mm) 8.0
最小爬电距离(mm) 8。0
内部最小隔离厚度(mm) 0.4
库存查询与购买
 
注释:
[1] 栅极信号软关断、故障反馈功能
[2] TLP5214、TLP5214A
[3] UVLO:欠压锁定
[4] 常见VE
 
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TLP5231

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TLP5231

 
*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
 
 
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社,主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中电子元器件事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域,集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域,通过用于物联网汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品,推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘(HDD)领域,着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业,为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。
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